IRF3575DTRPBF
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：场效应管阵列，32-PQFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
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参数详情：
制造商产品型号：IRF3575DTRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）描述：MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN系列：-FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：303A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装产品封装：32-PowerWFQFN供应商器件封装：32-PQFN （6x6）IRF3575DTRPBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
