IRF5810TR
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：场效应管阵列，6-TSOP
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
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参数详情：
制造商产品型号：IRF5810TR制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP系列：HEXFETFET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 16V功率 - 最大值：960mW安装类型：表面贴装产品封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）供应商器件封装：6-TSOPIRF5810TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
