IRF6620TR1PBF
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：单端场效应管，DIRECTFET
技术参数：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
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参数详情：
制造商产品型号：IRF6620TR1PBF制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）描述：MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：27A（Ta），150A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.7 毫欧 @ 27A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.45V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4130pF @ 10V功率 - 最大值：2.8W安装类型：表面贴装产品封装：DirectFET 等容 MX供应商器件封装：DIRECTFET MXIRF6620TR1PBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
