IRF7756GTRPBF
制造厂商:IR(International Rectifier,国际整流器公司)
类别封装:场效应管阵列,8-TSSOP
技术参数:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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参数详情:
制造商产品型号:IRF7756GTRPBF制造厂家名称:IR(International Rectifier,国际整流器公司,已被英飞凌INFINEON收购)描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP系列:HEXFETFET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):12V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 4.3A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装产品封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-TSSOPIRF7756GTRPBF的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。