IRFH5020TRPBF
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：单端场效应管，PQFN
技术参数：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
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参数详情：
制造商产品型号：IRFH5020TRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）描述：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2290pF @ 100V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装产品封装：8-VQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘IRFH5020TRPBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
