IRFHM8363TRPBF
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：场效应管阵列，8-PQFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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参数详情：
制造商产品型号：IRFHM8363TRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN系列：HEXFETFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1165pF @ 10V功率 - 最大值：2.7W安装类型：表面贴装产品封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33IRFHM8363TRPBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
